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选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性
选择区域外延生长(SAG)技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移......
期刊
金属有机化合物化学气相沉积
选择区域外延生长
迁移长度
MOCVD
SAG
migration length
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